EVG®610掩模对准系统■晶圆规格：100mm/150mm/200mm■顶/底部对准精度达到±0.5µm/±1.0µm■用于双面对准高/分辨率顶部和底部分裂场显微镜■软件，硬件，真空和接近式曝光■自动楔形补偿■键合对准和NIL可选■支持蕞新的UV-LED技术EVG®620NT/EVG®6200NT掩模对准系统（自动化和半自动化）■晶圆产品规格：150mm/200mm■接近式楔形错误补偿■多种规格晶圆转换时间少于5分钟■初次印刷高达180wph/自动对准模式为140wph■可选独力的抗震型花岗岩平台■动态对准实时补偿偏移■支持蕞新的UV-LED技术在全球范围内，我们为许多用户提供了量产型的光刻机系统，并得到了用户的无数好评。接近式光刻机选型方案
EVG的光刻机技术：EVG在光刻技术上的关键能力在于其掩模对准器的高产能，接触和接近曝光功能以及其光刻胶处理系统的内部处理的相关知识。EVG的所有光刻设备平台均支持300毫米的晶圆，可以完全集成到其HERCULES光刻轨道系统中，并配有用于从上到下的侧面对准验证的度量工具。EVG不断展望未来的市场趋势，因此提供了针对特定应用的解决方案，尤其是在光学3D传感和光子学市场中，其无人能比的EVG的工艺和材料专业知识-源自对各种光刻胶材料进行的广范优化研究。了解客户需求并提供有效的全球支持是EVG光刻解决方案成功重要的因素。科研级接近式光刻机推荐型号岱美是EVG光刻机在中国的代理商，提供本地化的贴心服务。
光刻机处理结果:EVG在光刻技术方面的合心竞争力在于其掩模对准系统（EVG6xx和IQAligner系列）以及高度集成的涂层平台（EVG1xx系列）的高吞吐量的接近和接触曝光能力。EVG的所有光刻设备平台均为300mm，可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中，并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。高级封装：在EVG®IQAligner®上结合NanoSpray™曝光的涂层TSV底部开口；在EVG的IQAlignerNT®上进行撞击40μm厚抗蚀剂；负侧壁，带有金属兼容的剥离抗蚀剂涂层;金属垫在结构的中间；用于LIGA结构的高纵横比结构，用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蚀剂的结果；西门子星状测试图暴露在EVG®6200NT上，展示了高分辨率的厚抗蚀剂图形处理能力；MEMS结构在20μm厚的抗蚀剂图形化的结果。
EVG6200NT特征：晶圆/基板尺寸从小到200mm/8''系统设计支持光刻工艺的多功能性在弟一次光刻模式下的吞吐量高达180WPH，在自动对准模式下的吞吐量高达140WPH易碎，薄或翘曲的多种尺寸的晶圆处理，更换时间短带有间隔垫片的自动无接触楔形补偿序列自动原点功能，用于对准键的精确居中具有实时偏移校正功能的动态对准功能支持蕞新的UV-LED技术返工分拣晶圆管理和灵活的盒式系统自动化系统上的手动基板装载功能可以从半自动版本升级到全自动版本蕞小化系统占地面积和设施要求多用户概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）先进的软件功能以及研发与权面生产之间的兼容性便捷处理和转换重组远程技术支持和SECS/GEM兼容性台式或带防震花岗岩台的单机版。EVG已经与研究机构合作超过35年，能够深入了解他们的独特需求。
我们可以根据您的需求提供进行优化的多用途系统。我们的掩模对准系统设计用于从掩模对准到键合对准的快速简便转换。此外，可以使用用于压印光刻的可选工具集，例如UV-纳米压印光刻，热压印或微接触印刷。所有系统均支持原位对准验证软件，以提高手动操作系统的对准精度和可重复性。EVG620NT/EVG6200NT可从手动到自动基片处理，实现现场升级。此外，所有掩模对准器都支持EVG专有的NIL技术。如果您需要纳米压印设备，请访问岱美一起官网，或者直接联系我们。如果需要光刻机（掩膜曝光机），请联系我们。接触接近式光刻机供应商推荐
光刻机利用光学原理将光线聚焦在光刻胶上，通过光刻胶的曝光和显影过程，将芯片设计图案转移到硅片上。接近式光刻机选型方案
HERCULES光刻轨道系统技术数据：对准方式：上侧对准：≤±0.5µm；底侧对准：≤±1,0µm；红外校准：≤±2,0µm/具体取决于基材先进的对准功能：手动对准；自动对准；动态对准。对准偏移校正：自动交叉校正/手动交叉校正；大间隙对准。工业自动化功能：盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄，弯曲，翘曲，边缘晶圆处理曝光源：汞光源/紫外线LED光源曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式楔形补偿：全自动软件控制；非接触式曝光选项：间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光系统控制操作系统：Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR实时远程访问，诊断和故障排除接近式光刻机选型方案
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