GEMINI自动化生产晶圆键合系统集成的模块化大批量生产系统，用于对准晶圆键合特色技术数据GEMINI自动化生产晶圆键合系统可实现ZUI高水平的自动化和过程集成。批量生产的晶圆对晶圆对准和ZUI大200毫米（300毫米）的晶圆键合工艺都在一个全自动平台上执行。器件制造商受益于产量的增加，高集成度以及多种键合工艺方法的选择，例如阳极，硅熔合，热压和共晶键合。特征全自动集成平台，用于晶圆对晶圆对准和晶圆键合底部，IR或Smaiew对准的配置选项多个键合室晶圆处理系统与键盘处理系统分开带交换模块的模块化设计结合了EVG的精密对准EVG所有优点和®500个系列系统与duli系统相比，占用空间ZUI小可选的过程模块：LowTemp™等离子活化晶圆清洗涂敷模块紫外线键合模块烘烤/冷却模块对准验证模块技术数据蕞大加热器尺寸150、200、300毫米装载室5轴机器人ZUI高键合模块4个ZUI高预处理模块200毫米：4个300毫米：6个。EVG501晶圆键合机系统：真正的低强度晶圆楔形补偿系统，可实现醉高产量；研发和试生产的醉低购置成本。阳极晶圆键合机推荐产品
完美的多用户概念（无限数量的用户帐户，各种访问权限，不同的用户界面语言） 桌面系统设计，占用空间蕞小 支持红外对准过程 EVG®610BA键合机技术数据 常规系统配置桌面系统机架：可选 隔振：被动 对准方法 背面对准：±2µm3σ 透明对准：±1µm3σ 红外校准：选件 对准阶段 精密千分尺：手动 可选：电动千分尺 楔形补偿：自动 基板/晶圆参数 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米，200毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆叠高度：10毫米 自动对准 可选的 处理系统 标准：2个卡带站 可选：蕞多5个站全自动晶圆键合机代理商推荐EVG键合机提供的加工服务。
阳极键合是晶片键合的一种方法，广FAN用于微电子工业中，利用热量和静电场的结合将两个表面密封在一起。这种键合技术ZUI常用于将玻璃层密封到硅晶圆上。也称为场辅助键合或静电密封，它类似于直接键合，与大多数其他键合技术不同，它通常不需要中间层，但不同之处在于，它依赖于当离子运动时表面之间的静电吸引对组件施加高电压。可以使用阳极键合将金属键合到玻璃上，并使用玻璃的薄中间层将硅键合到硅上。但是，它特别适用于硅玻璃粘接。玻璃需要具有高含量的碱金属（例如钠），以提供可移动的正离子。通常使用一种特定类型的玻璃，其中包含约3.5％的氧化钠（Na2O）。
1)由既定拉力测试高低温循环测试结果可以看出，该键合工艺在满足实际应用所需键合强度的同时，解决了键合对硅晶圆表面平整度和洁净度要求较高、对环境要求苛刻的问题。2)由高低温循环测试结果可以看出，该键合工艺可以适应复杂的实际应用环境，且具有工艺温度低，容易实现图形化，应力匹配度高等优点。3)由破坏性试验结果可以看出，该键合工艺在图形边沿的键合率并不高，键合效果不太理想，还需对工艺流程进一步优化，对工艺参数进行改进，以期达到更高的键合强度与键合率。 EVG®500系列键合模块-适用于GEMINI，支持除紫外线固化胶以外的所有主流键合工艺。
从表面上看，“引线键合”似乎只是焊接的另一个术语，但由于涉及更多的变量，因此该过程实际上要复杂得多。为了将各种组件长久地连接在一起，在电子设备上执行引线键合过程，但是由于项目的精致性，由于它们的导电性和相对键合温度，通常jin应用金，铝和铜。通过使用球形键合或楔形键合可完成此方法结合了低热量，超声波能量和微量压力的技术，可避免损坏电子电路。如果执行不当，很容易损坏微芯片或相应的焊盘，因此强烈建议在以前损坏或一次性使用的芯片上进行练习，然后再尝试进行引线键合。 EVG键合机可配置为黏合剂、阳极、直接/熔融、玻璃料、焊料（包括共晶和瞬态液相）和金属扩散、热压缩工艺。阳极晶圆键合机推荐产品
EVG晶圆键合机上的键合过程是怎么样的呢？阳极晶圆键合机推荐产品
半导体器件的垂直堆叠已经成为使器件密度和性能不断提高的日益可行的方法。晶圆间键合是实现3D堆叠设备的重要工艺步骤。然而，需要晶片之间的紧密对准和覆盖精度以在键合晶片上的互连器件之间实现良好的电接触，并蕞小化键合界面处的互连面积，从而可以在晶片上腾出更多空间用于生产设备。支持组件路线图所需的间距不断减小，这推动了每一代新产品的更严格的晶圆间键合规范。imec3D系统集成兼项目总监兼EricBeyne表示：“在imec，我们相信3D技术的力量将为半导体行业创造新的机遇和可能性，并且我们将投入大量精力来改善它。“特别关注的领域是晶圆对晶圆的键合，在这一方面，我们通过与EVGroup等行业合作伙伴的合作取得了优异的成绩。去年，我们成功地缩短了芯片连接之间的距离或间距，将晶圆间的混合键合厚度减小到1.4微米，是目前业界标准间距的四倍。今年，我们正在努力将间距至少降低一半。” 阳极晶圆键合机推荐产品
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